Samsung Galaxy S8 peut venir avec 8 Go de RAM LPDDR4X par SK Hynix

Tahia 10 janvier 2017 Commentaires fermés sur Samsung Galaxy S8 peut venir avec 8 Go de RAM LPDDR4X par SK Hynix

Samsung Galaxy S8 sera sûrement un capitaine excitant et des informations sur le prochain téléphone continu de faire surface. Le dernier en date concerne son module de 8 Go de RAM, qui vient d’être annoncé par le fabricant de puces SK Hynix.

Le nouveau module LPDDR4X RAM vient d’etre annoncer

SK Hynix est le deuxième plus gros fabricant de puces en Corée du Sud et vient d’annoncer la nouvelle puce DRAM mobile, qui sera présentée sur le prochain Galaxy S8 de Samsung.

Samsung Galaxy S8 peut venir avec 8 Go de RAM LPDDR4X par SK Hynix

Samsung Galaxy S8 peut venir avec 8 Go de RAM LPDDR4X par SK Hynix

Il est dit que la nouvelle puce pourrait également être montée sur l’iPhone d’Apple 8, qui sera annoncé plus tard cette année, selon un rapport. « Les puces de SK hynix seront en mesure d’aider les utilisateurs de smartphones à maximiser leur expérience mobile », a déclaré Oh Jong-hoon, responsable de la division de développement de produits DRAM de l’entreprise.

La nouvelle puce est 20% plus rapide que son prédécesseur

La puce à faible débit de données à faible débit 4X a la densité la plus élevée du monde de 8 Go et est dit être 20% plus efficace que le courant module LPDDR4, qui a été utilisé dans le Galaxy S7 et Galaxy S7 Edge. SK Hynix a déclaré qu’elle utilisait la technologie à deux canaux pour connecter deux puces DRAM de 8 Go et apparemment les jalonner en quatre couches afin de créer cette nouvelle puce DRAM. La puce mémoire mesure 12 millimètres par 12.7 millimètres et a une profondeur de 1 millimètre. Cela signifie qu’il occupe environ 30% d’espace de moins dans un appareil mobile, par rapport aux puces DRAM actuelles de 8 Go. La nouvelle puce a la capacité de traiter 34.1 Go de données par seconde avec des ports d’entrée-sortie de 64 bits. La nouvelle puce sera probablement couplée sur le Galaxy S8 avec Snapdragon 835 SoC de Qualcomm, qui est également plus petit en taille et a amélioré les performances par rapport à son prédécesseur. Le SoC est couplé avec  l’unité de traitement graphique Adreno 540 qui lui donne des performances graphiques supérieures. SK Hynix prévoit que la demande de puces DRAM mobiles de 8 Go augmentera cette année, car elles deviendront une caractéristique populaire des smartphones à venir.

Il n'est plus possible de faire de commentaire.